技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存

核心提示： 串联的架构让NAND可以更轻松的扩展容量使用性差异 在使用性上体现出的差异也是与NOR和NAND自身的架构设计分不开的，首先在接口方面，技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存(6)，NOR的设计有明显的传统内存的特征，因此实际应用起来相对于NAND全新的复杂I/O设计要轻易得多，许多厂商都

串联的架构让NAND可以更轻松的扩展容量

使用性差异 在使用性上体现出的差异也是与NOR和NAND自身的架构设计分不开的，首先在接口方面，NOR的设计有明显的传统内存的特征，因此实际应用起来相对于NAND全新的复杂I/O设计要轻易得多。而且，在使用NAND闪存时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。其次，在可重复擦写的能力方面，NAND的每块可擦写次数在10万至100万次之间，NOR则只是它的1/10，而且NAND的每个擦除块的容量也只有NOR的1/8至1/2，这就表明，每个块的擦写的频率要少于NOR闪存，从而有助于延长使用寿命。在数据的保存时间上，两者都差不多，为10年的水平。不过，由于串联的架构，NAND的晶体管之间更轻易造成影响，使逻辑0变成逻辑1，并且也很难发现出问题的晶体管，这种现象可称为位翻转（Bit-Flipping），这就需要动用EDC/ECC（错误检测码/错误修正码）来进行校正，这方面的问题NOR则较少出现。另外，NAND在使用中还存在着坏块治理的问题，在NAND闪存中，由于坏块是随机分布的，因此需要进行扫描并将坏块打上标记，就像对付硬盘中的坏扇区一样。目前的产品中，可最多答应出现80个坏块。坏块的存在使得向NAND闪存写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND闪存上自始至终都必须进行虚拟映射。在软件支持程度方面，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存治理算法的软件，包括性能优化。在NOR闪存上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND闪存上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR闪存在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR闪存时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR闪存的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。