技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存

核心提示： 小提示：NAND闪存增加页面和块容量的目的 NAND闪存的读取写入的容量单位都是页，从NAND的结构上看，技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存(4)，扩大页容量并不是为了满足总容量的扩展，页面数量的增多虽然会增大寻址的信息，上述的性能分析是以8bit位宽产品为例，假如换成16bit，但只

小提示：NAND闪存增加页面和块容量的目的 NAND闪存的读取写入的容量单位都是页，从NAND的结构上看，扩大页容量并不是为了满足总容量的扩展，页面数量的增多虽然会增大寻址的信息，但只需增加寻址信息的传输周期即可解决，因此增加页面和块容量主要是出于对性能的考虑。在新一代大容量NAND闪存中，2KB的页面容量已经标准化，那么其相对于小页面容量有什么性能上的优势呢？下面我们就来分析一下。 1、读取性能 NAND的读取步骤是，发送命令和寻址信息——将数据传向页面寄存器——数据从寄存器通过I/O端口传出。2KB页面容量时的计算公式为： 6 cycles（寻址周期，命令+地址信息） x 50ns（每一周期用时） + 25 µs（而数据传向寄存器用时） + 2112 cycles（2112字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）= 131 µs。折合有效带宽：2112字节/131 µs=16.1MB/s 512字节页面容量时的结果如下： 4cycles（寻址周期，命令+地址信息） x 50ns（每一周期用时） + 25 µs（而数据传向寄存器用时） +528 cycles（528字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时） = 51.6 µs。折合有效带宽：528字节/51.6µs=10.2MB/s。可见，2KB容量时，读取时的有效带宽是512字节时的1.6倍。 2、写入性能 NAND的写步骤是，发送寻址信息——将数据传向页面寄存器——发送命令信息——数据从寄存器写入相关的页面。2KB页面容量时的计算公式为： 5 cycles x 50ns（寻址周期） + 2112 cycles（2112字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 1 cycle （命令传输）x 50ns（每一周期用时）+ 200µs （页写入周期）= 306 µs。折合有效带宽：2112字节/306µs=6.9MB/s 512字节页面容量时的结果如下： 3 cycles（寻址周期） x 50ns（每一周期用时） +528 cycles（528字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 1 cycle （命令传输）x 50ns（每一周期用时）+200µs（页写入周期）= 226.6 µs。折合有效带宽：528字节/226.6 µs=2.3MB/s。可见，2KB容量时，读取时的有效带宽是512字节时的3倍。 3、擦除性能 NAND的擦除步骤是，发送命令和块地址信息——进行擦除。2KB和512字节页面容量时的计算公式为： 4 cycles（命令+地址信息传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 2ms（块擦除用时）= 2ms 此时，2KB时块容量为128KB（一块包含64个页面），512字节的块容量是16KB（一块包含32个页面）。 2KB时的擦除速度为：128KB/2ms=64MB/s 512字节时的擦除速度为：16KB/2ms=8MB/s 两者相差了8倍。由此可见，大容量的NAND闪存通过采用大页面容量和大容量块的设计，在性能较以往产品有了明显的提升。另外需要指出的是，位宽的提高也会起到扩展带宽的效果（这一点NOR也适用），上述的性能分析是以8bit位宽产品为例，假如换成16bit，2KB页面容量时读、写的带宽就分别变为：27MB/s和8.3MB/s，也因此成为了那些高速高容量闪存卡的首选！