技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存

核心提示： NAND闪存采用地址包的方式进行寻址，本例为128Mbit芯片，技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存(3)，这里可以将第二和第三周期所传输的信息理解为行地址我们都知道，DRAM的容量扩大后，因此，在读取性能方面，地址线也会相应增加，NOR闪存也是如此

NAND闪存采用地址包的方式进行寻址，本例为128Mbit芯片，这里可以将第二和第三周期所传输的信息理解为行地址我们都知道，DRAM的容量扩大后，地址线也会相应增加，NOR闪存也是如此，但是当页面容量扩大和总容量扩大后，由于列与块的增多，NAND的寻址信息也相应增加，从而要占用更多的寻址周期，这也是NAND闪存的一大特点——容量越大，寻址周期越长。

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4Gbit NAND闪存芯片的寻址信息（页面容量2KB），需用5个周期传输（点击放大）

存取性能的差异 由于寻址方式的不同也造成了寻址能力差异。NOR的寻址与DRAM几乎相同，因此可以实现快速的随机寻址，速度大约在50至80纳秒（ns）。而NAND虽然可以以字节或字（Word，一般用于16bit的芯片上）为单位寻址，但传输的单位是页，所以要经过页面寄存器（因为NAND晶体管的串联架构使读出放大器的信号会非常微弱，所以要用寄存器进行稳定输入）进行传输，从数据输往寄存器到寄存器开始通过I/O端口传输数据，首页周期一般在20至25微秒（us，1us=1000ns）之间。可见，NOR的随机访问能力是NAND所不能比拟的。也正是因为这一点，使得NOR闪存具备了XIP功能（eXecute In Place，本地执行），可以执行代码程序，NAND由于随机寻址速度太慢，显然不能担此重任。在擦除操作方面，NAND以块为单位进行整体擦除，NOR的擦除单位也是按区域进行（这是闪存的一个重要特征），但这个区域一般要比NAND的块大（NOR厂商对擦除区域一般除了称之为块外，还有Sector的叫法），基本为64或128KB。而NAND的块最大为64KB（4Gbit芯片），一般为16KB，这意味着NOR要擦除的容量要比NAND更大。另外，在擦除操作上NOR要比NAND更繁琐（要先将块内的数据重置为“0”）。这样，在擦除速度上，NAND就要明显占优势。NOR的擦除时间大约在0.6至5秒钟，而NAND在则在2毫秒（ms），可见差距之大。由于在闪存的写入必须要在空白或已经擦除的区域里进行，所以擦除后写的操作十分普遍，尤其是在进行文件更新时更是如此，所以在写入性能上，NOR相对于NAND就居于劣势。在读取速度上，由于NOR与NAND都支持连续读取（NOR称之为突发读取/传输，NAND只是在第一页面的读取时延迟较大，连续起来后就不受寄存器中转的影响了），所以速率主要取决于工作频率，目前NAND的主流工作频率在20-33MHz之间，NOR方面则要更高一些，目前已经有74MHz甚至更高频率的NOR闪存出现。因此，在读取性能方面，NOR目前占有一定的优势。