技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存

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物理设计上的差异 很多人会觉得希奇，DRAM的容量1Gbit都比较罕见，NAND型闪存的容量怎么动不动就上2Gbit了呢？这是因为闪存的特性只要求一只非凡的晶体管即可组成一个存储单元，而DRAM的存储单元则是由晶体管+电容组成，受芯片面积/成本的制约，当然很难提升容量。在这方面，NOR有着与DRAM相同的苦恼。

NOR与NAND在晶体管连接方式上的不同让两者在物理特性也上体现出了巨大的差异。从连接的结构图可以看出，由于NAND采用串联的方式，所以更为紧凑，而NOR由于要求两个晶体管之间共用一个源极（Source）连接区（Cantact），因此对芯片面积的缩小造成了影响。

NOR与NAND在晶体管连接方式上有明显不同，前者保证了随机访问能力，后者则有效的缩小了占用空间

NOR与NAND存储单元的面积比较，F代表制造工艺尺寸，如0.18um或0.13um 理论上，使用相同的工艺，在相同容量下NOR闪存与普通DRAM芯片的面积相当，而NAND型则约是前两者的一半。由此可见，NAND闪存在容量上占据了绝对优势，2003年7月，配合增容技术（MirrorBit），AMD/富士通公司才推出了512Mbit的NOR产品，而1Gbit的NAND闪存芯片早在2001年就出现了。现在单核心没有采用增容技术的NAND闪存已经达到了2Gbit的容量水平。