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台积电：3nm 工艺相比 5nm 密度提升 1.7 倍，功耗降低 25-30%

[ 声音 ]　2021-12-25 09:23:31

Intel关键新突破：晶体管缩小50％、封装密度提升10倍

[ 手机开发 ]　2021-12-14 06:18:06

ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

[ 图形图像 ]　2021-12-13 19:47:54

工信部发布 2021 年版锂离子电池行业规范条件及公告管理办法：规定能量密度、精度等

[ 声音 ]　2021-12-11 12:00:55

德邦提升网络覆盖密度 与韵达互通末端网点接口

[ 电商 ]　2021-08-27 15:13:37

长虹在高性能硅基负极材料的研发取得重要突破

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