激光在光学读取头中的应用简析
2007-10-01 11:55:07 来源:WEB开发网(一)属于能承受开放型封装体的高耐湿性晶片。
(二)在播放输出上,属于低杂波。
(三)属于低动作电力、高温动作。
近年来,由于播放型激光封装体,从传统的高气密型封装体转移成开放型封装体,因此高耐湿性晶片已成为必备要件。半导体激光晶片,一般都是用氧化铝或氧化矽等电介体膜,钝化光射出面的晶片端面。这种钝化膜会阻绝外气与晶片端面,并随著激光发光以防止端面氧化,且具有确保长期可靠性的功能。但是这种电介体膜,会因存在于膜中的悬挂链(dangling bond),而出现会与水份产生反应而变质的问题。
低杂波化与低耗电性
以光学读取装置来说,从光碟反射回来的光,会返回半导体激光晶片的发光点,因此用半导体激光晶片内部谐振器与读取装置的光程(从激光到光碟,再返回激光的来回路程)所构成的外界谐振器会构成出复合谐振器,而产生巨大的杂波。这些杂波对策,则被要求在半导体激光端内实施。但是,半导体激光的返回光杂波对策,会引起扩大驱动电流与驱动温度特性恶化的问题。
(a)低杂波型
为了将光锁入形成波导体的线条中,而在电流区块层上采用了光吸收媒介元件。在780nm半导体激光上,则将GaAs视为电流区块层,它可让线条外能接受电流区块层的强烈光吸收,而让光难以渗入线条外,并可阻绝不必要的自然发光成份。反之,藉由电流区块层与活性层之间的适当距离,则可发挥出让光渗入线条外的作用。只要采用极精密膜厚的控制手法,就可同时成立出关系呈现背道而驰现象的作用。如此一来就可实现-130dB/Hz以下的相对杂音强度,进而形成出符合低杂波要求的光学读取装置构造。
(b)低驱动电力型
在光锁入形成波导体线条内的电流区块层上,所采用的曲折率媒介低于包层的元件。虽然基本构造同于高功率设备的构造,然而与高功率设备不同的是,抑制渗入包层内的光量,将光波导于活性层附近。如此一来,与使用GaAs电流区块层的上述低杂波型相较之下,则可实现约35%的低耗电效能,同时也让杂波特性符合实用领域。
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